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结合限制异质外延和分子束外延法，物联网产该文为研究新型超导和磁性异质结提供了新思路。第一作者为CequnLi，业博9月银川通讯作者为JunZhu教授。

【成果掠影】最近，将于举办宾夕法尼亚州立大学的JunZhu领衔的国际联合团队实现了(Bi,Sb)2Te3/石墨烯/镓（BST/Gr/Ga）异质结构的生长。相关文章以Proximity-inducedsuperconductivityinepitaxialtopologicalinsulator/graphene/galliumheterostructures为题发表在NatureMaterials上，首届宾夕法尼亚州立大学的官网也报道了这一重要进展，首届该成果为实现量子计算机的规模化应用找到了一种可实现晶圆级量产的材料体系。图2BST/Gr/Ga异质结构中共存的狄拉克表面态及超导性©2023SpringerNature(a)5QL的BST/Gr/Ga室温能带图，物联网产(b)从02T-5QL器件得到的dI/dV 与 Vdc 曲线，物联网产(c)选定电场中的电阻随温度变化图，(d)平面外临界场Hc2随温度变化图。

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【核心创新点】高质量的(Bi,Sb)2The3/Gr/Ga异质结有望实现晶圆级量产，首届为量子计算的应用扫除关键障碍【数据概览】图1外延生长的BST/Gr/Ga异质结构以及隧道结器件的制备©2023SpringerNature(a)生长示意图，首届(b)截面扫描隧道显微镜图，(c)范德华隧道，器件结构及不同的隧道电导测试示意图，(d)h-BN/石墨烯/2Lh-BN的光学图像，(e)标有4个隧道连接的设备 02T-5QL的光学图像。

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